姓名：胡乔宇
职称：讲师
研究方向：宽禁带半导体功率及射频器件开发
个人简介：
集成电路工程技术专业教师，博士毕业于南方科技大学物理学专业。长期从事宽禁带半导体（GaN）功率及射频器件关键工艺与可靠性研究，围绕GaN HEMT器件，重点开展低损伤刻蚀、欧姆接触优化、界面缺陷调控及电场工程设计等关键技术，实现器件直流与射频性能的协同提升。具备8年洁净间工艺与器件实验经验，熟练掌握光刻、刻蚀、薄膜沉积、金属化及退火等半导体微纳加工全流程技术，具有扎实的工艺开发与工程实践能力。在长期科研与工程实践基础上，构建了较为系统的GaN器件制备与性能调控研究体系，形成完善的微纳加工工艺平台及电学/射频测试支撑能力。已发表SCI/EI论文15篇，申请发明专利3项。
邮箱：huqiaoyu@szpu.edu.cn
