深职派STM32F407

本平台基于高性能ARM Cortex-M4内核的F407芯片，集核心板与扩展底板于一体。核心板集成LCD接口、串口、USB及基础外设，可独立运行；扩展板配备丰富存储（RAM/Flash/EEPROM）与实用模块（摄像头、OLED、ADC、数码管、蜂鸣器、SD卡、串口屏等），支持嵌入式系统开发、实时操作系统移植及综合应用设计。模块化结构兼顾教学系统性与竞赛灵活性，全面覆盖嵌入式课程实验与项目实践，助力学生深入掌握嵌入式系统软硬件协同设计能力

集成电路装备用SiC零部件平台

深职大集成电路学院核心研发团队多年从事航天航空SiC基陶瓷材料、半导体装备SiC零部件开发，具有深厚的技术积累，通过平台建设有望成为深圳市开展相关材料及零部件开发，并形成产业化推广应用的唯一院校。建设SiC陶瓷零部件加工制造平台——通过自主开发，重点建设CVD@SiC 高纯体相材料制造加工中试平台；建设高纯轻量化SiC零部件制造加工中试平台；重点解决CVD@SiC 高纯体相材料关键制造技术研发及装备开发能力；高纯轻量化SiC...

大尺寸金刚石散热衬底片

高功率和高频率器件、大功率激光器件、高集成度微系统器件、AI器件等应用场景的扩大和爆发,急需解决散热问题。例如,目前光通信中400G光模块的功耗在15W左右,采用氮化铝陶瓷基板进行封装，其热导率为170-200W/m·K,而未来采用800G-1.6T光模块功耗预计到30W左右,在此高热密度下需要更优异散热材料才能满足要求。金刚石在室温下的热导率最高达2000W/m·K,是铜热导率的5倍,氮化铝热导率的6倍以上,可以有效传递电子器件产生的热量。而...

GaN自驱型PVD智能沉积系统

项目开发一种有别于传统MOCVD的氮化镓（GaN）制备方法，采用AI-PVD方法制备氮化镓，其特点是低温、绿色、成本低、国产化。有望成为MOCVD方法的互补方案和替代方案。关键技术创新：仿真建模（ 物理洞察）：构建PVD腔体内部气体流动、热传导与溅射粒子轨迹的三维模拟仿真模型，实现对沉积环境多物理耦合机制的深度感知。AI控制（ 结构映射）：利用DeepONet等神经算子机器学习框架，实现沉积工艺参数–膜层结构–器件性能之间的...