姓名：邓宸凯
职称：讲师
研究方向：第三代半导体氮化镓（GaN）射频前端模组开发
个人简介：
集成电路工程技术专业教师，博士毕业于哈尔滨工业大学电子信息专业。长期从事氮化镓（GaN）射频器件设计、工艺开发及射频前端模组研究。博士期间首创提出基于应力工程的增强型射频器件实现方法，并系统验证其在抑制漏电、电流崩塌、短沟道效应及逆压电效应方面的有效性。在 The Journal of Physical Chemistry Letters（JPCL）、Journal of Materials Chemistry C（JMCC）等期刊发表学术论文40余篇，其中以第一作者发表论文6篇，申请中国发明专利8项；作为核心成员参与多项产学研合作，并与国内射频龙头企业卓胜微开展横向项目研究。
邮箱：Dengck@szpu.edu.cn
